DTA114EUAT106
fabricante:
Semicondutores Rohm
Descrição:
Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 miliampères
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - Transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
UMT3
Resistência - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
ROHM Semicondutor
Resistência - Base do emissor (R2):
10 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
200 mW
Embalagem / Caixa:
SC-70, SOT-323
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Número do produto de base:
DTA114
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) PNP - pré-biasados 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW UMT3
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