MRF6S19100HR3
fabricante:
NXP EUA Inc.
Descrição:
FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Voltagem nominal:
68 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NI-780H-2L
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
10,99 GHz
Ganho:
16.1 dB
Embalagem / Caixa:
SOT-957A
Atual - teste:
900 miliampères
Potência - saída:
22W
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Número do produto de base:
MRF6
Introdução
RF Mosfet 28 V 900 mA 1,99 GHz 16,1 dB 22 W NI-780H-2L
PRODUTOS CONEXOS
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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A AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
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