Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de Transistores Bipolares, Pr
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
1 NPN, 1 PNP - Pré-viado (dual)
Frequência - Transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 2,5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
EMT6
Resistência - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
ROHM Semicondutor
Resistência - Base do emissor (R2):
47 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
150 mW
Embalagem / Caixa:
SOT-563, SOT-666
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10mA, 5V
Número do produto de base:
EMD22
Introdução
Transistores bipolares pré-biased (BJT) 1 NPN, 1 PNP - pré-biased (dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Mount de superfície EMT6
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