MMBT5551LT1G
fabricante:
ONSEMI
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
NPN
Categoria de produtos:
Transistor bipolares - BJT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente Máxima do Coletor DC:
0,6 A
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
De potência
Embalagem / Caixa:
SOT-23-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Configuração:
Solteiro
Tensão baixa VCBO do coletor:
140 V
Série:
MMBT5551L
Tensão baixa VEBO do emissor:
6 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
0,15 V
Fabricante:
semi-
Introdução
O MMBT5551LT1G, da onsemi, é Bipolar Transistors - BJT. o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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