2DB1182Q-13
fabricante:
Diodos incorporados
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
PNP
Categoria de produtos:
Transistor bipolares - BJT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente Máxima do Coletor DC:
- 3 A.
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
- 32 V.
Embalagem / Caixa:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Produto fT da largura de banda do ganho:
110 MHz
Configuração:
Solteiro
Tensão baixa VCBO do coletor:
- 40 V
Série:
2DB11
Tensão baixa VEBO do emissor:
- 5 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
- 0,8 V
Fabricante:
Diodos incorporados
Introdução
O 2DB1182Q-13, da Diodes Incorporated, são Bipolar Transistors - BJT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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