HN1A01FU-Y
fabricante:
Toshiba
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
PNP
Categoria de produtos:
Transistor bipolares - BJT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente Máxima do Coletor DC:
- 150 mA
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
- 50 V.
Embalagem / Caixa:
US-6
Produto fT da largura de banda do ganho:
80 MHz
Tensão baixa VCBO do coletor:
- 50 V.
Série:
HN1A01
Tensão baixa VEBO do emissor:
- 5 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
- 0,1 V
Fabricante:
Toshiba
Introdução
O HN1A01FU-Y, da Toshiba, é Bipolar Transistors - BJT. o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
2SC5200-O (Q)
Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A
2SA1837
Bipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W
2SC2073
Transistor: NPN; bipolar; 150V 2A
2SC2873-Y
NPN Silicon Epitaxial Transistors
| Imagem | parte # | Descrição | |
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2SC5200-O (Q) |
Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A
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2SA1837 |
Bipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W
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2SC2073 |
Transistor: NPN; bipolar; 150V 2A
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2SC2873-Y |
NPN Silicon Epitaxial Transistors
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