IXXH60N65B4H1
fabricante:
IXYS
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
116 A
Pd - Dissipação de energia:
380 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
650 V
Embalagem / Caixa:
TO-247AD-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.7 V
Fabricante:
IXYS
Introdução
O IXXH60N65B4H1, da IXYS, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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