UMZ1N
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
150 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
NPN, PNP
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência - Transição:
180 MHz, 140 MHz
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-363
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Corrente - limite do colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potência - Máximo:
150 mW
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 6V
Número do produto de base:
UMZ1
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Montador de superfície SOT-363
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