SMA6010
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
4a
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
3 NPN, 3 PNP Darlington (ponte de 3 fases)
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
75MHz
Pacote:
Tubos
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
1.5V @ 6mA, 3A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
60 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
12-SIP
Mfr:
Sanken Electric EUA Inc.
Corrente - limite do colector (máximo):
100 μA (ICBO)
Potência - Máximo:
4W
Embalagem / Caixa:
12-SIP
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
2000 @ 3A, 4V
Número do produto de base:
SMA60
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phased Bridge) 60V 4A 75MHz 4W através do buraco 12-SIP
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