ULN2803A
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
500 mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
8 NPN Darlington
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Frequência - Transição:
-
Pacote:
Tubos
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 500μA, 350mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
18-DIP
Mfr:
STMicroelectrónica
Corrente - limite do colector (máximo):
-
Potência - Máximo:
2.25W
Embalagem / Caixa:
18-DIP (0,300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamento:
-20°C ~ 150°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
1000 @ 350 mA, 2 V
Número do produto de base:
ULN2803
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 2.25W através do buraco 18-DIP
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