2N2222A
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Arrays de transistores bipolares
Corrente - colector (Ic) (máximo):
800mA
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Caixa
Série:
-
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:
1V @ 50mA, 500mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
40 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-18
Mfr:
De circuito integrado Inc.
Corrente - limite do colector (máximo):
10nA
Potência - Máximo:
1.2w
Embalagem / Caixa:
TO-206AA, metal TO-18-3 pode
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce:
75 @ 10mA, 10V
Número do produto de base:
2N2222
Introdução
Bipolar (BJT) Transistor Array 40V 800mA 1.2W através do buraco TO-18
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