2SB1386T100Q
Especificações
Polaridade do transistor:
PNP
Categoria de produtos:
Transistor bipolares - BJT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente Máxima do Coletor DC:
5 A
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
- 20 V
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Produto fT da largura de banda do ganho:
120 megahertz
Configuração:
Solteiro
Tensão baixa VCBO do coletor:
- 30 V
Tensão baixa VEBO do emissor:
- 6 V.
Fabricante:
ROHM Semicondutor
Introdução
O 2SB1386T100Q, da ROHM Semiconductor, são Bipolar Transistors - BJT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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