FS100R12KT4G
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Modulos IGBT N-CH 1,2 KV 100A
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Módulos de IGBT
Corrente de coletor contínua em 25 C:
100 A
Pd - Dissipação de energia:
515 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1200 V
Embalagem / Caixa:
Economia 3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Configuração:
Hex.
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,2 V
Produto:
Módulos do silicone de IGBT
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O FS100R12KT4G, da Infineon Technologies, são módulos IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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