FF650R17IE4
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Modulos IGBT N-CH 1,7 KV 930A
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 400
Categoria de produtos:
Módulos de IGBT
Corrente de coletor contínua em 25 C:
930 A
Pd - Dissipação de energia:
4.15 kW
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1700 V
Embalagem / Caixa:
PRIME2
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Configuração:
Dual
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,45 V
Produto:
Módulos do silicone de IGBT
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O FF650R17IE4, da Infineon Technologies, são módulos IGBT. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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