HGT1S10N120BNST
fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descrição:
Transistores IGBT N-Channel IGBT NPT Série 1200V
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 250 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente de coletor contínua em 25 C:
35 A
Pd - Dissipação de energia:
298 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1200 V
Embalagem / Caixa:
TO-263AB-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Reel
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,7 V
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Introdução
O HGT1S10N120BNST, da Fairchild Semiconductor, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
FGH60N60UFDTU
FGH75T65UPD
FGH40N60SMDF
| Imagem | parte # | Descrição | |
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FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
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FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
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FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
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FGH60N60UFDTU |
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FGH75T65UPD |
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FGH40N60SMDF |
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