NGTB40N120FL3WG
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
Transistores IGBT IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 200
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
160 A
Pd - Dissipação de energia:
454 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1,2 quilovolts
Embalagem / Caixa:
TO247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.7 V
Fabricante:
semi-
Introdução
O NGTB40N120FL3WG, de onsemi, são transistores IGBT. o que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
| Imagem | parte # | Descrição | |
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FGA25N120ANTD |
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