NGTB40N120FL2WG
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
Transistores IGBT 1200V/40A FAST IGBT FSII
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 200
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
80A
Pd - Dissipação de energia:
535 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1200 V
Embalagem / Caixa:
TO-247
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
30 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2 V
Fabricante:
semi-
Introdução
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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FGA25N120ANTD |
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