RGTH00TS65DGC11
fabricante:
Semicondutores Rohm
Descrição:
IGBT Transistores 650V 50A IGBT Paragem Trench
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 200 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
85 A
Pd - Dissipação de energia:
277 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
650 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
embalagem:
Tubos
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 30 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,6 V
Fabricante:
ROHM Semicondutor
Introdução
O RGTH00TS65DGC11, da ROHM Semiconductor, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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