IKW50N65ES5
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IGBT Transistores Trenchstop 5 IGBT
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Pd - Dissipação de energia:
274 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
650 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,35 V
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IKW50N65ES5, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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AUIRG4PH50S |
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