STGW30NC120HD
fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
Transistores IGBT N-CANAL IGBT
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 100 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Pd - Dissipação de energia:
220 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1200 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 25 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,75 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Introdução
O STGW30NC120HD, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
O número de veículos aéreos
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STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
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O número de veículos aéreos |
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