FGD3N60LSDTM
Especificações
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
DPAK-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Reel
Configuração:
Solteiro
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Introdução
O FGD3N60LSDTM, da Fairchild Semiconductor, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS

FGA20N120FTDTU
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench

FGH60N60SMD
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2

FGL40N120ANTU
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT

FGH60N60UFDTU

FGH75T65UPD

FGH40N60SMDF
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
![]() |
FGA20N120FTDTU |
IGBT Transistors 1200V N-Chan Trench
|
|
![]() |
FGH60N60SMD |
IGBT Transistors 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
![]() |
FGL40N120ANTU |
IGBT Transistors 1200V NPT IGBT
|
|
![]() |
FGH60N60UFDTU |
|
|
![]() |
FGH75T65UPD |
|
|
![]() |
FGH40N60SMDF |
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: