IKW50N60H3
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Transistores IGBT DE ACOMUTAÇÃO DE Alta Velocidade
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
100 A
Pd - Dissipação de energia:
333 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,25 V
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IKW50N60H3, da Infineon Technologies, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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AUIRG4PH50S |
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