NGB8207BNT4G
fabricante:
Littelfuse
Descrição:
Transistores IGBT GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Pd - Dissipação de energia:
165 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
365 V
Embalagem / Caixa:
D2PAK
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
embalagem:
Reel
Tensão máxima do emissor da porta:
15 V
Corrente de coletor contínua em 25 C:
20 A
Fabricante:
Littelfuse
Introdução
O NGB8207BNT4G, da Littelfuse, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: