FGL60N100BNTD
fabricante:
Fairchild Semiconductor
Descrição:
Transistores IGBT de alta potência
Categoria:
Semicondutores
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 500 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
60 A
Pd - Dissipação de energia:
180 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1000 V
Embalagem / Caixa:
TO-264-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 25 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,5 V
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Introdução
O FGL60N100BNTD, da Fairchild Semiconductor, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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