TC58BVG2S0HTAI0
fabricante:
Toshiba
Descrição:
EEPROM 3,3 V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Corrente da fonte - máxima:
30 mA
Categoria de produtos:
EEPROM
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 40 C.
Organização:
512 M x 8
Embalagem / Caixa:
TSOP-48
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 85 C
Tamanho da Memória:
4 Gbit
embalagem:
Caixa
Série:
TC58BVG2S0
Tensão de alimentação de funcionamento:
3.3 V
Tipo de interface:
Paralelo
Frequência máxima do relógio:
-
Fabricante:
Toshiba
Introdução
O TC58BVG2S0HTAI0, da Toshiba, é um EEPROM. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
TC58NVG0S3HTAI0
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EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58BVG0S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
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TC58NVG2S0HBAI4 |
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TC58BVG0S3HTAI0 |
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TC58NVG1S3HTA00 |
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