K4B4G1646D-BCMA
fabricante:
Semicondutores da Samsung
Descrição:
4Gb B-dado DDR3 SDRAM Olny x16
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Densidade:
4 GB
Categoria de produtos:
IC de memória
embalagem:
Caixa
Voltagem:
1,5V
Pacote:
FBGA-96
Temp.:
0 ~ 85 °C
Org:
256M x 16
ROHS:
Verde disponível
Estatuto do produto:
Produção em massa
Velocidade:
1866 Mbps
Fabricante:
semicondutor de Samsung
Introdução
O K4B4G1646D-BCMA, da Samsung Semiconductor, são ICs de memória. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
Related Products
K9F4G08U0B-PCB0
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
K4S641632K-UC60
64Mb K-die SDRAM
Classe A:
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9K8G08U0A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
A partir de 1 de janeiro de 2014:
Memory IC
K4B2G1646F-BCK0
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
K4H511638J-LCCC
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1
1Gb E-die NAND Flash
K4W1G1646E-HC12
Graphic Memory
K4T1G084QF-BCF7
1Gb F-die DDR2 SDRAM
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
K9F4G08U0B-PCB0 |
512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S641632K-UC60 |
64Mb K-die SDRAM
|
|
|
|
Classe A: |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9K8G08U0A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
A partir de 1 de janeiro de 2014: |
Memory IC
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
512Mb C-die DDR SDRAM Specification
|
|
|
|
C1C1C1C1C1C1C1C1C1C1 |
1Gb E-die NAND Flash
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
Graphic Memory
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
1Gb F-die DDR2 SDRAM
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: