W987D6HBGX6E
fabricante:
Winbond Electronics
Descrição:
IC DRAM 128M PARALEL 54VFBGA
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Tecnologia:
SDRAM - LPSDR Móvel
Categoria de produtos:
IC de memória
Tipo de memória:
Volátil
Fábrica:
0
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15n
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-VFBGA (8x9)
Tempo de acesso:
5.4ns
Formato de memória:
DRAM
Estatuto da parte:
Não para novos desenhos
Tamanho da Memória:
128Mb (8M x 16)
embalagem:
Caixa
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-25°C ~ 85°C (TC)
Quantidade mínima:
312
Interface de memória:
Paralelo
Embalagem / Caixa:
54-TFBGA
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
10,7 V ~ 1,95 V
Série:
-
Fabricante:
Winbond Electronics
Introdução
O W987D6HBGX6E, da Winbond Electronics, são ICs de memória. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
W25Q128JVSIM
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
W631GG6KB-12
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
W9425G6KH-5
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
W25X40CLSNIG
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q64JVSSIQ
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
W9825G6KH-6
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
W9751G6KB25I
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
W25Q80DVSSIG
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
W25Q16JVSSIQ
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
| Imagem | parte # | Descrição | |
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W25Q128JVSIM |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC
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W631GG6KB-12 |
IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
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W9425G6KH-5 |
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
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W25X40CLSNIG |
IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
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W25Q64JVSSIQ |
IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
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W9825G6KH-6 |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
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W9751G6KB25I |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
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W9751G6KB-18 |
IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA
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W25Q80DVSSIG |
IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
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W25Q16JVSSIQ |
IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC
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MOQ: