FDG8842CZ
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SC-70-6
Categoria de produtos:
MOSFET
Fábrica:
0
Quantidade mínima:
3000
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
120 pF @ 10V
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Estatuto da parte:
Atividade
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
750 mA, 410 mA
embalagem:
Tape & Reel (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N e P-canal
Característica do FET:
Porta do nível da lógica
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V, 25 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
1.44nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
400 mOhm @ 750 mA, 4,5 V
Potência - Máximo:
300 mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Fabricante:
semi-
Introdução
A FDG8842CZ, da onsemi, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| Imagem | parte # | Descrição | |
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
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FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
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ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
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FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
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