FDD3510H
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252-4L
Categoria de produtos:
MOSFET
Fábrica:
75000
Quantidade mínima:
2500
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
800 pF @ 40V
Embalagem / Caixa:
TO-252-5, DPak (4 ligações + abas), TO-252AD
Estatuto da parte:
Atividade
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4.3A, 2.8A
embalagem:
Tape & Reel (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N e P-canal, dreno comum
Característica do FET:
Porta do nível da lógica
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
80 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Potência - Máximo:
1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Fabricante:
semi-
Introdução
O FDD3510H, da onsemi, é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| Imagem | parte # | Descrição | |
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
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FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
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ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
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FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
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