DMN2004DWK-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-363
Categoria de produtos:
MOSFET
Fábrica:
0
Quantidade mínima:
3000
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
150 pF @ 16V
Embalagem / Caixa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Estatuto da parte:
Atividade
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
540mA
embalagem:
Tape & Reel (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET:
Porta do nível da lógica
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
20 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
550 mOhm @ 540 mA, 4,5 V
Potência - Máximo:
200mw
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Série:
-
Fabricante:
Diodos incorporados
Introdução
O DMN2004DWK-7, da Diodes Incorporated, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Imagem | parte # | Descrição | |
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DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
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DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
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DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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MOSFET 50V 200mW
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BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
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DMN61D9UW-7 |
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