SIS862DN-T1-GE3
fabricante:
Vishay Semicondutores
Descrição:
MOSFET 60V 8,5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Tecnologia:
Si
Categoria de produtos:
MOSFET
Tradename:
TrenchFET
Embalagem / Caixa:
PowerPAK-1212-8 (em inglês)
embalagem:
Reel
Fabricante:
Vishay Semicondutores
Introdução
O SIS862DN-T1-GE3, da Vishay Semiconductors, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
O número de veículos deve ser indicado.
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
O SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
O número de veículos deve ser igual ou superior a:
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| Imagem | parte # | Descrição | |
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O número de veículos deve ser indicado. |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
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Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
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SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
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O SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
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SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
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IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
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SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
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SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
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O número de veículos deve ser igual ou superior a: |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
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