FDT1600N10ALZ
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
3.77nC @ 10V
Fabricante:
semi-
Quantidade mínima:
4000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
5V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
PowerTrench®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
225 pF @ 50V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-223-4
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
160 mOhm @ 2,8 A, 10 V
Dissipação de poder (máxima):
10.42W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-261-4, TO-261AA
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2,8V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Introdução
O FDT1600N10ALZ,da onsemi,é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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NTMFS4C022NT1G |
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2N7002WT1G |
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FDS3992 |
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FCP22N60N |
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BVSS123LT1G |
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FDS6576 |
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