Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±12V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
-
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
4.76nC @ 4,5V
Fabricante:
semi-
Quantidade mínima:
3000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
432 pF @ 15V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3 (TO-236)
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
480 mW (Ta)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Introdução
O NTR4170NT1G, da onsemi, é o MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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