FDS8949
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote de dispositivos do fornecedor:
8-SOIC
Categoria de produtos:
MOSFET
Fábrica:
0
Quantidade mínima:
2500
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
955pF @ 20V
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0.154" , largura de 3.90mm)
Estatuto da parte:
Atividade
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
6A
embalagem:
Tape & Reel (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET:
Porta do nível da lógica
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
29 mOhm @ 6A, 10V
Potência - Máximo:
2W
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Fabricante:
semi-
Introdução
O FDS8949, da onsemi, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
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FDS6576
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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2N7002WT1G |
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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FDS3992 |
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FCP22N60N |
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ATP106-TL-H |
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BVSS123LT1G |
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FDS6576 |
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