BSH108,215
fabricante:
Nexperia
Descrição:
Tape MOSFET PWR-MO
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
1,9 A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 65 C
Embalagem / Caixa:
SOT-23-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
30 V
embalagem:
Reel
Categoria de produtos:
MOSFET
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
20 V
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
77 mOhms
Fabricante:
Nexperia
Introdução
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PRODUTOS CONEXOS
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MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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BSS123.215 |
MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A
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PMGD175XNEX |
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
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BSS84AKS, 115 |
MOSFET P-CH -50 V -160 mA
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NX3008NBK,215 |
MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET
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NX7002BKR |
MOSFET 60V N-channel Trench MOSFET
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BSS84,215 |
MOSFET P-CH DMOS 50V 130MA
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NX7002BKSX |
MOSFET 60V, Dual N-channel Trench MOSFET
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NX3008NBKS,115 |
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
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NX7002AK |
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BSS138BK,215 |
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
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