DMN6075S-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12.3nC @ 10V
Fabricante:
Diodos incorporados
Quantidade mínima:
3000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
606pF @ 20V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85 mOhm @ 3,2 A, 10 V
Dissipação de poder (máxima):
800 mW (Ta)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
60 V
Introdução
O DMN6075S-7, da Diodes Incorporated, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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