FDN359AN
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2.7A (Ta)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
7nC @ 5V
Fabricante:
semi-
Quantidade mínima:
3000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
PowerTrench®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
480 pF @ 10V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SuperSOT-3
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
46 mOhm @ 2,7 A, 10 V
Dissipação de poder (máxima):
500mW (Ta)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Introdução
A FDN359AN, da onsemi, é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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