DMG3415U-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±8V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4A (Ta)
@ qty:
0
Tipo de FET:
P-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
9.1nC @ 4,5 V
Fabricante:
Diodos incorporados
Quantidade mínima:
3000
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
1.8V, 4.5V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
-
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
294pF @ 10V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23-3
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39 mOhm @ 4A, 4,5 V
Dissipação de poder (máxima):
900mW (Ta)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
20 V
Introdução
O DMG3415U-7, da Diodes Incorporated, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
DMG2302UK-7
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Imagem | parte # | Descrição | |
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DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
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DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
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DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
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DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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