DMHC3025LSD-13
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
Canal N, Canal P.
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
6 A, - 4.2 A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
SO-8
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
30 V, - 30 V
embalagem:
Reel
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
1 V, - 2 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
40 mOhms, 80 mOhms
Número de canais:
Canal 4
Vgs - tensão da Porta-fonte:
+/- 20 V, +/- 20 V
Qg - carga da porta:
11.7 nC, 11.4 nC
Fabricante:
Diodos incorporados
Introdução
O DMHC3025LSD-13, da Diodes Incorporated, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
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DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Imagem | parte # | Descrição | |
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DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
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DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
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DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
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BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
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DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
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DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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