2SK2837
fabricante:
Semicondutor de Toshiba
Descrição:
Tipo MOS do canal N do silício (π−MOSV)
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Categoria de produtos:
MOSFET
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Dissipação de potência Pd:
150 W
Tempo típico de atraso:
23 ns
Tempo de queda:
50 ns
Voltagem de ruptura da fonte de descarga VDS:
500 V
Fabricante:
Semicondutor de Toshiba
Duração:
15,5 mm
Configuração:
Solteiro
Vgs - tensão da Porta-fonte:
30 V
Rds Resistência da fonte de descarga:
270 mOhms
Tempo de elevação:
30 ns
Número de canais:
1 Canal
Tempo de atraso típico de desligamento:
71 ns
Altura:
20 mm
Id. Corrente de escoamento contínua:
20 A
Estilo da instalação:
Através do Buraco
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Tecnologia:
Si
Largura:
4,5 milímetros
Introdução
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