FDD3860
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
6.2A (Ta)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
31nC @ 10V
Fabricante:
semi-
Quantidade mínima:
2500
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
PowerTrench®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1740pF @ 50V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-PAK (TO-252AA)
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
36 mOhm @ 5,9A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
3.1W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Introdução
O FDD3860, da onsemi, é o MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
NTMFS4C022NT1G
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2N7002WT1G
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FQP13N50C
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NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
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FDS3992
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BVSS123LT1G
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FDS6576
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| Imagem | parte # | Descrição | |
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NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
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2N7002WT1G |
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FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
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NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
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NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
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FCP22N60N |
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ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
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BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
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FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
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