FDS2672
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
3.9A (Ta)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
46nC @ 10V
Fabricante:
semi-
Quantidade mínima:
2500
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Fábrica:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Característica do FET:
-
Série:
UltraFETTM
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
2535pF @ 100V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
8-SOIC
Estatuto da parte:
Atividade
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
70 mOhm @ 3,9A, 10V
Dissipação de poder (máxima):
2.5W (Ta)
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0.154" , largura de 3.90mm)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
200 V
Introdução
O FDS2672, da onsemi, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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