DMG6601LVT-7
fabricante:
Diodos incorporados
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TSOT-26
Categoria de produtos:
MOSFET
Fábrica:
0
Quantidade mínima:
3000
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
422pF @ 15V
Embalagem / Caixa:
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Estatuto da parte:
Atividade
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
3.8A, 2.5A
embalagem:
Tape & Reel (TR)
@ qty:
0
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N e P-canal
Característica do FET:
Porta do nível da lógica
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 3,4 A, 10 V
Potência - Máximo:
850 mW
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Série:
-
Fabricante:
Diodos incorporados
Introdução
O DMG6601LVT-7, da Diodes Incorporated, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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