FDG6332C
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET 20V N&P-Canal Power Trench
Categoria:
Semicondutores
Especificações
Polaridade do transistor:
Canal N, Canal P.
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
700 miliampères
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Tradename:
PowerTrench
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
SOT-323-6
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
20 V
embalagem:
Reel
Categoria de produtos:
MOSFET
Número de canais:
2o canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
12 V
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
300 mOhms
Fabricante:
semi-
Introdução
O FDG6332C, da onsemi, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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