VS-8EWF12S-M3
fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
DIODE GEN PURP 1,2KV 8A TO252
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 8 A
Pacote:
Tubos
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252, (D-Pak)
Tempo de recuperação inverso (trr):
270 ns
Mfr:
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-40°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1200 V
Corrente - média rectificada (Io):
8A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
8EWF12
Introdução
Diodo 1200 V 8A montado na superfície TO-252, (D-Pak)
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