1N5619
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.6 V @ 3 A
Pacote:
Em granel
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5619
Introdução
Diodo 600 V 1A através do buraco A, axial
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Conservado em estoque:
MOQ: