MUR4100ERLG
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
DIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
25 μA @ 1000 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.85 V @ 4 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Série:
SWITCHMODE™
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
100 ns
Mfr:
semi-
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
DO-201AA, DO-27, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
1000 V
Corrente - média rectificada (Io):
4a
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MUR4100
Introdução
Diodo 1000 V 4A através do eixo do buraco
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MOQ: