JANTX1N5806US
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 150 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Pacote:
Em granel
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/477
Capacidade @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-5A
Tempo de recuperação inverso (trr):
25 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
SQ-MELF, A
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
150 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5806
Introdução
Diodo 150 V 1A Monte de superfície D-5A
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MOQ: