JANTX1N5420
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 3A B AXIAL
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Category:
Discrete Semiconductor Products
Diodes
Rectifiers
Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 600 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.5 V @ 9 A
Package:
Bulk
Series:
Military, MIL-PRF-19500/411
Capacitance @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
B, Axial
Reverse Recovery Time (trr):
400 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Technology:
Standard
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Package / Case:
B, Axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Current - Average Rectified (Io):
3A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N5420
Introdução
Diodo 600 V 3A através do buraco B, axial
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MOQ: