JANTX1N6622US
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
DIODE GEN PURP 660V 2A D-5A
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Product Status:
Active
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 660 V
Mounting Type:
Surface Mount
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1,2 A
Package:
Bulk
Série:
Militar, MIL-PRF-19500/585
Capacitance @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Supplier Device Package:
D-5A
Reverse Recovery Time (trr):
30 ns
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
SQ-MELF, A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
660 V
Current - Average Rectified (Io):
2A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
1N6622
Introdução
Diodo 660 V 2A Monte de superfície D-5A
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: